[发明专利]存储装置

摘要

实施方式提供一种能够提高集成度的存储装置。实施方式的存储装置具备：多条字线，在与第1方向及第2方向正交的第3方向上积层；多条主位线，包含第1主位线，且在第2方向上伸长；多个晶体管，包含第1与第2晶体管，第1与第2晶体管的第1方向的通道宽度宽于多条主位线的第1方向的宽度；第1副位线群，包含多条副位线，在第3方向上伸长，包括第1副位线及第2副位线，所述第1副位线与第1主位线之间隔着第1晶体管而电连接，所述第2副位线与第1主位线之间隔着第2晶体管而电连接，且与第1副位线相邻，假设性连结第1副位线与第2副位线的线段与第2方向交叉；以及电阻变化层，设置在多条字线与多条副位线之间。

主权项

1.一种存储装置，其特征在于具备：第1字线群，包含多条字线，所述多条字线具有平行于第1方向及与所述第1方向正交的第2方向的平板形状，且在与所述第1方向及所述第2方向正交的第3方向上积层；多条主位线，包含第1主位线，且在所述第2方向上伸长；多个晶体管，包含第1晶体管及第2晶体管，所述第1晶体管及所述第2晶体管的所述第1方向的通道宽度宽于所述多条主位线的所述第1方向的宽度，且至少一部分设置在所述第1字线群的所述多条字线与所述多条主位线之间；第1副位线群，包含多条副位线，所述多条副位线包含第1副位线及第2副位线，所述第1副位线与所述第1主位线之间隔着所述第1晶体管而电连接，所述第2副位线与所述第1主位线之间隔着所述第2晶体管而电连接，且与所述第1副位线相邻，假想地连结所述第1副位线与所述第2副位线的线段与所述第2方向交叉，所述多条副位线在所述第3方向上伸长，与所述第1字线群的所述多条字线交叉，并且分别以中间隔着所述多个晶体管中的任一个的方式与所述多条主位线中的任一条电连接；以及电阻变化层，设置在所述第1字线群的所述多条字线的每一条与所述第1副位线群的所述多条副位线的每一条之间。