[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810053857.8 申请日: 2018-01-19
公开(公告)号: CN108336057B 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 永水隼人;森琢郎;大坪义贵 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/055;H01L21/52
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 就半导体装置而言,在外周壳体(5)形成多个作为凹部的引导部分(5a)。多个引导部分(5a)包含上端开口部(5b)。在外周壳体(5)的内周面形成内周侧开口部(5c),该内周侧开口部(5c)与上端开口部(5b)相连,从上端面侧向基座板(4)侧延伸并且与引导部分(5a)相连。第1插入部(16a)插入至多个引导部分(5a)中的第1引导部分(5a)。第1外侧端子部(16b)与第1插入部(16a)相连且经由第1引导部分(5a)的上端开口部(5b)延伸至外周壳体(5)的外侧。第1连接端子部(16c)与第1插入部(16a)相连且经由内周侧开口部(5c)与导电图案(1)连接。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其具备:基体;绝缘板,其配置于所述基体的表面之上;导体层,其形成于所述绝缘板的表面;半导体元件,其与所述导体层连接;以及外周壳体,其配置为将所述基体的外周包围,在所述外周壳体形成多个凹部,所述多个凹部包含上端开口部,该上端开口部是在所述外周壳体处在与所述基体侧相反侧的上端面开设的,在所述外周壳体的内周面形成内周侧开口部,该内周侧开口部与所述上端开口部相连,从所述上端面侧向所述基体侧延伸并且与所述凹部相连,在所述外周壳体的周向,所述内周侧开口部的宽度比所述凹部的宽度窄,该半导体装置具备端子构件和树脂层,该端子构件包含:第1插入部,其插入至所述多个凹部中的第1凹部;第1外侧端子部,其与所述第1插入部相连且经由所述第1凹部的所述上端开口部延伸至所述外周壳体的外侧;以及第1连接端子部,其与所述第1插入部相连,经由所述内周侧开口部延伸至所述导体层之上并且与所述导体层连接,该树脂层在被所述绝缘板和所述外周壳体包围的区域至少将所述半导体元件和所述第1连接端子部封装。
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