[发明专利]具有改善的电力输送的嵌入式多管芯互连桥在审
| 申请号： | 201810058578.0 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108461478A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | H·刘;K·S·吴 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/48;H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了具有多个集成电路管芯的集成电路封装。多芯片封装可以包括使用所述多芯片封装的基底中的嵌入式多管芯互连桥(EMIB)进行通信的至少两个集成电路管芯。EMIB可以接收形成在所述EMIB的背面的耦合到在其上安装所述EMIB的背面导体的接触焊盘处的功率。所述背面导体可以被分成多个区域，所述多个区域彼此电隔离并且均接收来自印刷电路板的不同电源电压信号或数据信号。这些电源电压信号和数据信号可以通过形成在所述EMIB中的内部微过孔或穿硅过孔被提供到所述两个集成电路管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路管芯 电源电压信号 多芯片封装 导体 数据信号 多管芯 互连桥 嵌入式 背面 集成电路封装 印刷电路板 电力输送 接触焊盘 电隔离 耦合到 基底 通信 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路封装，包括：封装基底；以及安装在所述封装基底上的集成电路管芯，其中，所述封装基底包括：嵌入在所述封装基底内的硅管芯，其中，所述硅管芯具有面对所述集成电路管芯的正面和与所述正面相对的背面；以及从所述硅管芯的所述背面电耦合至所述硅管芯的导电路径。
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