[发明专利]一种低温等离子体处理匍匐茎刺激假俭草快速生长的方法

摘要

本发明涉及一种低温等离子体预处理匍匐茎刺激假俭草快速生长的方法，包括如下步骤：（1）将假俭草匍匐茎在30~35℃清水中浸泡18 h；（2）用介质阻挡氦气低温等离子体处理匍匐茎，处理条件：处理强度150~450 W，处理时间10~20 s，极板间距2 cm，压强150 Pa，频率13.56 kHz；（3）处理后将匍匐茎在30℃清水中浸泡18~24 h；（4）浸泡后的匍匐茎栽到花盆中培养。低温等离子处理假俭草匍匐茎可使其地下部干重、根冠比、总根长、根体积、根表面积和平均根直径增加12~41%、8~20%、18~33%、30~62%、33~64%和7~31%，使地上部干重、节间长度（倒四节）、叶片数和叶面积增加7~19%、20~61%、7~22%和21~36%。本发明提供的新方法操作简便、成本低、见效快、无污染，可以有效促进假俭草匍匐茎地下部和地上部生长。

主权项

1.一种低温等离子体预处理匍匐茎刺激假俭草快速生长的方法，包括如下步骤：（1）选取假俭草匍匐茎在30～35℃清水中浸泡18 h；（2）用介质阻挡氦气低温等离子体处理匍匐茎，处理条件为：处理功率为150~450 W，处理时间为10~20 s，极板间距为2 cm，压强为50~150 Pa，频率为13.56 kHz；（3）将低温等离子体处理的匍匐茎在30℃清水中浸泡18~24 h;（4）将浸泡后的匍匐茎栽植到花盆中, 置于25~35℃光照下培养。