[发明专利]发光二极管结构及其制造方法以及微显示器的像素结构在审
申请号: | 201810067519.X | 申请日: | 2018-01-24 |
公开(公告)号: | CN110071208A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 廖伯轩 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L33/60 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 席勇;周勇 |
地址: | 中国台湾桃园市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种发光二极管结构及其制造方法以及微显示器的像素结构,发光二极管结构包含电路基板、发光元件、吸光层以及反射层。电路基板具有顶表面,且此顶表面包含发光区以及外围区,其中外围区环绕发光区。发光元件设置在位于发光区的顶表面上。吸光层设置在位于外围区的顶表面上并环绕发光元件。吸光层具有第一部分及位于第一部分上的第二部分。反射层覆盖电路基板的顶表面并延伸至吸光层的第一部分的侧壁,其中第二部分暴露于反射层之外。此发光二极管结构可提高对比度并增加光的使用率。 | ||
搜索关键词: | 顶表面 发光二极管结构 吸光层 电路基板 发光元件 发光区 反射层 外围区 微显示器 像素结构 环绕 使用率 侧壁 制造 暴露 延伸 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管结构,其特征在于,包含:电路基板,具有顶表面,所述顶表面包含发光区以及外围区,所述外围区环绕所述发光区;发光元件,设置在位于所述发光区的所述顶表面上;吸光层,设置在位于所述外围区的所述顶表面上并环绕所述发光元件,且所述吸光层具有第一部分及位于所述第一部分上的第二部分;以及反射层,覆盖所述电路基板的所述顶表面并延伸至所述吸光层的所述第一部分的侧壁,其中所述第二部分暴露于所述反射层之外。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欣兴电子股份有限公司,未经欣兴电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810067519.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:LED封装方法及LED
- 下一篇:LED封装