[发明专利]处理被加工物的方法

摘要

本发明提供一种处理被加工物的方法，该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体，来在低温下对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的主蚀刻；在蚀刻步骤刚执行后或主蚀刻刚执行后，使静电吸盘的温度上升的步骤；和在将静电吸盘的温度设定为高的温度的状态下将被加工物从腔室搬出的步骤。由此，能够在等离子体蚀刻结束后至被加工物从腔室搬出之前，将被加工物上的沉积物除去或使其量减少。

主权项

1.一种用等离子体处理装置来处理被加工物的方法，其特征在于：所述等离子体处理装置包括：提供腔室的腔室主体；载置台，其设置在所述腔室内，且具有用于保持载置在所述载置台上的被加工物的静电吸盘；和调节所述静电吸盘的温度的温度调节机构，所述等离子体处理方法包括：通过在所述腔室内生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体，来对载置在所述静电吸盘上的被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤，其中，该步骤包含在利用所述温度调节机构将所述静电吸盘的温度设定为‑30℃以下的温度的状态下蚀刻该蚀刻对象膜的主蚀刻；在进行蚀刻的所述步骤刚执行后，或者所述主蚀刻刚执行后，在所述静电吸盘上载置了所述被加工物的状态下，利用所述温度调节机构使所述静电吸盘的温度上升到0℃以上的温度的步骤；和在通过执行使所述静电吸盘的温度上升的所述步骤而将所述静电吸盘的温度设定成了0℃以上的温度的状态下，将载置在所述静电吸盘上的所述被加工物从所述腔室搬出的步骤。