[发明专利]应变沟道的场效应晶体管

摘要

本发明提供了具有应变SiGe沟道的半导体和用于制造这种器件的方法。在实施例中，半导体器件包括：衬底，衬底包括至少两个隔离部件；鳍状衬底，位于至少两个隔离部件之间并且位于至少两个隔离部件的上方；以及外延层，位于鳍状衬底的露出部分的上方。根据一方面，外延层可以位于鳍状衬底的顶面和侧面上。根据另一方面，鳍状衬底可以基本上完全位于至少两个隔离部件的上方。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，包括至少两个隔离部件；衬底缓冲区域，设置在所述至少两个隔离部件之间鳍状衬底，设置在所述至少两个隔离部件之间以及上方，所述鳍状衬底的底面与所述至少两个隔离部件的顶面处于同一平面上，所述鳍状衬底包括弛豫材料，所述鳍状衬底设置在鳍状衬底缓冲区域的上方；以及栅电极，设置在所述鳍状衬底上方，并且覆盖部分所述鳍状衬底；外延层，设置在所述鳍状衬底的露出部分上方，所述外延层包括设置在所述鳍状衬底的所述弛豫材料的至少三个表面上的压缩应力半导体材料，所述外延层弥补所述鳍状衬底的弛豫，其中，所述栅电极不覆盖所述外延层；其中，所述鳍状衬底具有形成PMOS器件的压缩单轴向应变，或者其中，所述鳍状衬底具有形成NMOS器件的拉伸单轴向应变。