[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810069691.9 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108257884A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王连红;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：形成芯片，所述芯片表面具有芯片焊盘，所述芯片焊盘的表面被保护层覆盖；采用打线工艺形成键合引线，所述键合引线的一端穿过所述保护层与所述芯片焊盘连接。所述方法使得半导体器件的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 芯片焊盘 键合引线 被保护层 打线工艺 芯片表面 保护层 芯片 穿过 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：形成芯片，所述芯片表面具有芯片焊盘，所述芯片焊盘的表面被保护层覆盖；采用打线工艺形成键合引线，所述键合引线的一端穿过所述保护层与所述芯片焊盘连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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