[发明专利]磁记录介质的制造方法、多层膜成膜系统及成膜调整方法有效
| 申请号： | 201810070983.4 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108630238B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 本田雅树;岩佐健治;江口英孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;G11B5/64;G11B5/73;C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 徐健;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式能得到抑制了产品的偏差的磁记录介质的制造方法、多层膜的成膜系统以及成膜调整方法。实施方式涉及的磁记录介质的制造方法包括：测定包含磁记录层的多层膜的特性，算出用于设定溅射功率的指示值与特性的残差，算出残差的移动平均值而求出反馈修正值，使用从使用了假想计测技术而得到的计算膜厚进行特性预测的计算模型，参照反馈修正值，在使用了电子计算机的求解器进行逆运算，分别算出多层膜的各层的新指示值。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 多层 膜成膜 系统 调整 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质的制造方法，使用了溅射装置，所述溅射装置基于用于设定溅射功率的指示值来连续地成膜包含磁记录层的多层膜，所述制造方法包括：算出对每隔一定时间从所述溅射装置取出并测定的、以基于第1指示值的第1溅射功率制膜的包含磁记录层的多层膜的样品的特性的实测值与所述第1指示值进行比较而得到的残差；算出所述得到的残差的移动平均值而求出反馈修正项c；参照所述得到的反馈修正项c，针对关于所述包含磁记录层的多层膜使用了假想计测技术而得到的计算膜厚，求出从APC计算模型使用求解器进行逆运算而得到的值；将基于所述得到的值的第2指示值发送至所述溅射装置；接受所述第2指示值而设定第2溅射功率，连续地成膜所述包含磁记录层的多层膜。
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