[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底包括第一区和第二区，第一区基底上具有第一伪栅极层，第二区基底上具有第二伪栅极层，第一伪栅极层和第二伪栅极层顶部均具有初始掩膜层；在基底上、第一伪栅极层和第二伪栅极层侧壁、以及初始掩膜层侧壁和顶部形成第一介质膜，且第一区第一介质膜密度小于第二区第一介质膜密度；采用第一平坦化工艺去除部分第一介质膜和第一区初始掩膜层，直暴露出第二区初始掩膜层，在第一伪栅极层顶部形成第一掩膜层；在第一介质膜和第一掩膜层上形成第二介质层；以第二介质层为掩膜，采用第一刻蚀工艺减薄部分第二初始掩膜层，形成第二掩膜层。所形成的器件性能较好。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区基底上具有第一伪栅极层，所述第二区基底上具有第二伪栅极层，所述第一伪栅极层和第二伪栅极层顶部均具有初始掩膜层；在所述基底上、第一伪栅极层和第二伪栅极层的侧壁、以及初始掩膜层的侧壁和顶部表面形成第一介质膜，且第一区第一介质膜的密度小于第二区第一介质膜的密度；采用第一平坦化工艺去除部分第一介质膜和第一区部分初始掩膜层，直至暴露出第二区初始掩膜层，在所述第一伪栅极层顶部形成第一掩膜层；在所述第一介质膜和第一掩膜层上形成第二介质层，所述第二介质层暴露出第二区的初始掩膜层顶部表面；以所述第二介质层为掩膜，采用第一刻蚀工艺减薄第二初始掩膜层，形成第二掩膜层。