[发明专利]纯碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810075163.4 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108261928A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李双;田贵山;孟子霖;张茜;魏春城;周丽娟 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01D69/10;B01D67/00;C04B38/00;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京迎硕知识产权代理事务所(普通合伙) 11512 | 代理人： | 张群峰 |
| 地址： | 255086 山东省淄*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纯碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法，包括如下步骤：支撑体的制备、过渡层的制备、以及表面膜层的制备。其中，不同层采用不同粒径的碳化硅粉体和聚碳硅烷制备而成，且使用聚碳硅烷作为碳化硅的前驱体。根据本发明获得的纯碳化硅陶瓷膜元件，由于使用聚碳硅烷作为碳化硅的前驱体，聚碳硅烷能在较低的热处理温度下分解产生高活性碳化硅，分解产生的碳化硅作为高温结合剂连接初始碳化硅，因此该方法制备的全碳化硅陶瓷膜具有抗折强度高、烧结温度低的特点。此外，所制备得到的碳化硅陶瓷膜由纯碳化硅组成，表现为较强的亲水憎油特性；良好的机械性能，较高的膜通量，以及很强的化学稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 碳化硅 纯碳化硅 聚碳硅烷 陶瓷膜元件 碳化硅陶瓷膜 前驱体 机械性能 分解 高温结合剂 化学稳定性 碳化硅粉体 热处理 表面膜层 连接初始 烧结 高活性 过渡层 膜通量 支撑体 抗折 粒径 亲水 憎油 表现 | ||
【主权项】：
1.一种纯碳化硅陶瓷膜元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，支撑体的制备：按照质量比100：(20～40)：(3～5)：(10～15)称取碳化硅粉Ⅰ、聚碳硅烷、结合剂和造孔剂，与水配置成泥料并成型，经过烧结得到纯碳化硅陶瓷膜支撑体，步骤2，过渡层的制备：按照质量比100：(30～50)：(20～40)：(10～20)称取碳化硅粉Ⅱ、聚碳硅烷、聚乙烯醇和聚丙烯酸，与水混合得到过渡层浆料，使所述过渡层浆料被覆在所述步骤1的纯碳化硅陶瓷膜支撑体的内孔表面以形成被覆层，此后进行真空烧结以在所述支撑体的内孔表面形成过渡层，步骤3，表面膜层的制备：按照质量比100：(40～60)：(15～25)：(5～10)称取碳化硅粉Ⅲ、聚碳硅烷、聚乙烯醇和聚丙烯酸，与水混合得到涂膜液，使所述涂膜液在所述步骤2得到的支撑体中流动，以在所述过渡层上形成涂膜层，此后进行真空烧结以在所述过渡层上形成表面膜层，其中，所述碳化硅粉Ⅰ的平均粒径＞所述碳化硅粉Ⅱ的平均粒径＞所述碳化硅粉Ⅲ的平均粒径。
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