[发明专利]包括电阻结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201810077733.3 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN108364937B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 申洪湜;金度亨;李斗荣;罗炫旭;李书范;李元赫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了包括满足电阻器件的期望目标电阻值的电阻结构且具有增强的特性的半导体器件。一种半导体器件包括：下层间绝缘层，设置在包括电阻区域的基板上；电阻结构，包括顺序地堆叠在电阻区域的下层间绝缘层上的电阻层和蚀刻停止图案；上层间绝缘层，配置为覆盖电阻结构并设置在下层间绝缘层上；电阻接触结构，配置为穿过上层间绝缘层和蚀刻停止图案并接触电阻层；以及电阻接触间隔物，设置在上层间绝缘层和蚀刻停止图案与电阻接触结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电阻 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在基板上的下层间绝缘层，所述基板包括电阻区域；电阻结构，包括顺序地堆叠的电阻层和蚀刻停止图案，在所述电阻区域中，在所述下层间绝缘层上；上层间绝缘层，配置为覆盖所述电阻结构并且在所述下层间绝缘层上；电阻接触结构，配置为穿过所述上层间绝缘层和所述蚀刻停止图案并接触所述电阻层；以及电阻接触间隔物，在所述上层间绝缘层和所述蚀刻停止图案与所述电阻接触结构之间，所述电阻接触间隔物包括：第一电阻接触间隔物，和在所述第一电阻接触间隔物和所述电阻接触结构之间的第二电阻接触间隔物，所述第二电阻接触间隔物的顶端相对于所述基板低于所述第一电阻接触间隔物的顶端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810077733.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
