[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810082594.3 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109509742A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刀祢馆达郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够实现散热性的提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体芯片；金属板；绝缘基板，设在半导体芯片与金属板之间，具有第1金属层、第2金属层、和第1金属层与第2金属层之间的绝缘层，第2金属层具备具有第1膜厚的第1区域、具有第2膜厚的第2区域、具有比第1膜厚及第2膜厚厚的第3膜厚的第3区域，第3区域位于第1区域与第2区域之间；以及焊料层，设在第2金属层与金属板之间。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 膜厚 半导体装置 金属板 半导体芯片 第1金属层 绝缘层 绝缘基板 焊料层 散热性 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具备：半导体芯片；金属板；绝缘基板，设在上述半导体芯片与上述金属板之间，具有第1金属层、第2金属层、和上述第1金属层与上述第2金属层之间的绝缘层，上述第2金属层具备具有第1膜厚的第1区域、具有第2膜厚的第2区域、具有比上述第1膜厚及上述第2膜厚厚的第3膜厚的第3区域，上述第3区域位于上述第1区域与上述第2区域之间；以及焊料层，设在上述第2金属层与上述金属板之间。
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