[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810082595.8 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109509739A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 岩津泰德 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够降低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、栅极电极、第1电极和第2电极。第2半导体区域设在第1半导体区域的一部分之上。第3半导体区域设在第2半导体区域的一部分之上。第4半导体区域设在第1半导体区域的另一部分之上。第4半导体区域具有第1部分和第2部分。第1部分和第2半导体区域在与从第1半导体区域朝向第2半导体区域的第1方向交叉的第2方向上排列。第2部分位于第3半导体区域的上方。栅极电极隔着栅极绝缘层设在第2半导体区域的另一部分、第3半导体区域的一部分及第1部分之上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体区域 半导体装置 导电型 栅极电极 电极 栅极绝缘层 导通电阻 方向交叉 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具备：第1半导体区域；第1导电型的第2半导体区域，设在上述第1半导体区域的一部分之上；第2导电型的第3半导体区域，设在上述第2半导体区域的一部分之上；第2导电型的第4半导体区域，设在上述第1半导体区域的另一部分之上，具有第1部分和第2部分，上述第1部分和上述第2半导体区域在与从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第1方向交叉的第2方向上排列，上述第2部分位于上述第3半导体区域的上方；栅极电极，隔着栅极绝缘层设在上述第2半导体区域的另一部分、上述第3半导体区域的一部分及上述第1部分之上；第1电极，设在上述第3半导体区域的另一部分之上，与上述第3半导体区域电连接；以及第2电极，设在上述第2部分之上，与上述第4半导体区域电连接。
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