[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201810082618.5 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN108155182B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 布丽塔·格厄特茨;约恩·斯托;诺温·文马尔姆 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L27/15;H01L33/42;H01L33/50;H01L33/56;C25D13/02;C25D13/12;C25D13/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有像素区域(2)的半导体本体(1)，所述像素区域具有至少两个不同的子像素区域(3)，‑将导电层(18)施加到至少一个子像素区域(3)的辐射出射面(9)上，其中导电层(18)适合于与质子的反应参与物至少部分地构成盐，‑通过电泳工艺在导电层(18)上沉积转换层(19，19’)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有像素区域(2)的半导体本体(1)，所述像素区域具有至少两个不同的子像素区域(3)，‑将导电层(18)施加到至少一个子像素区域(3)的辐射出射面(9)上，其中所述导电层(18)适合于与质子的反应参与物至少部分地构成盐，‑通过电泳工艺在所述导电层(18)上沉积转换层(19，19’)，其中电泳沉积的层具有孔。
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