[发明专利]背照式图像传感器的制造方法在审
| 申请号： | 201810086148.X | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108281448A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 姜怡雯;李志伟;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 马景辉 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种制造背照式图像传感器的方法。一种制造背照式图像传感器的方法，包括：在基底上形成介质层，其中所述基底中具有金属布线层；在所述介质层中形成沟槽；在所述介质层和所述基底中形成通孔；以及在所述通孔和所述沟槽中同时填充金属，其中在所述沟槽中填充的金属构成所述背照式图像传感器的金属栅格，在所述通孔中填充的金属用于将所述金属布线层与外部设备电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式图像传感器 介质层 基底 通孔 金属布线层 填充 外部设备 制造 金属 金属栅格 填充金属 电连接 | ||
【主权项】：
1.一种制造背照式图像传感器的方法，其特征在于，包括：在基底上形成介质层，其中所述基底中具有金属布线层；在所述介质层中形成沟槽；在所述介质层和所述基底中形成通孔；以及在所述通孔和所述沟槽中同时填充金属，其中在所述沟槽中填充的金属构成所述背照式图像传感器的金属栅格，在所述通孔中填充的金属用于将所述金属布线层与外部设备电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
