[发明专利]一种柔性LED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810087983.5 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108281518B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 查宝;曾燚 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 518132广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种柔性LED器件及其制备方法，所述方法包括以下步骤：先提供一P‑型硅晶片为衬底，在所述衬底上旋涂一层光刻胶，通过曝光、显影制程，在所述衬底上获得一层图案化的P‑型硅微米柱；然后在所述P‑型硅微米柱之间的间隙填充软模高分子树脂，形成一层包括所述P‑型硅微米柱与所述软模高分子树脂的复合膜层；再在所述复合膜层上依次制备N‑型掺杂金属氧化物膜层、第一金属电极层；最后剥离所述衬底，在所述复合膜层剥离掉所述衬底一侧的表面上制备第二金属电极层，然后将其转移至柔性衬底上，形成一种发光均匀的柔性LED器件。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 制备 复合膜层 柔性LED 微米柱 高分子树脂 金属电极层 软模 剥离 掺杂金属氧化物 发光均匀 间隙填充 光刻胶 硅晶片 图案化 膜层 上旋 显影 制程 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种柔性LED器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n步骤S1、提供一P-型硅晶片为衬底，在所述衬底上旋涂一层光刻胶，通过曝光、显影制程，在所述衬底上获得一层图案化的P-型硅微米柱；/n步骤S2、在所述P-型硅微米柱之间的间隙填充软模高分子树脂，形成一层包括所述P-型硅微米柱与所述软模高分子树脂的复合膜层；/n步骤S3、在所述复合膜层上依次制备N-型掺杂金属氧化物膜层、第一金属电极层；/n步骤S4、剥离所述衬底，在所述复合膜层剥离掉所述衬底一侧的表面上制备第二金属电极层，然后将由所述复合膜层、所述第一金属电极层、所述第二金属电极层和所述N-型掺杂金属氧化物膜层组成的整体转移至柔性衬底上，形成柔性LED器件。/n
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