[发明专利]非晶硅光电二极管模组在审
| 申请号： | 201810088118.2 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108258102A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张岚;顾铁;刘柱;王伟 | 申请（专利权）人： | 奕瑞新材料科技（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L25/16;H01L23/13 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 215434 江苏省苏州市太*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种非晶硅光电二极管模组，包括：TFT玻璃基底，包含第一面以及相对的第二面；第一非晶硅光电二极管，具有第一透明上电极以及第一透明下电极，所述第一非晶硅光电二极管通过所述第一透明下电极固定于所述TFT玻璃基底的第一面上，通过所述第一透明下电极与TFT玻璃基底第二面的第二非晶硅光电二极管相连。本发明在制备基于TFT玻璃基底的非晶硅硅光电二极管时，将紧临TFT玻璃基底的电极改成透明电极，正面非晶硅硅光电二极管不能完全吸收闪烁体产生的可见光，剩余的光线可以穿透透明电极，到达TFT玻璃基底的背面，可以被背面的非晶硅硅光电二极管吸收，以增强信号幅度。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅 基底 光电二极管 硅光电二极管 下电极 透明 透明电极 电极 模组 可见光 增强信号 第二面 闪烁体 吸收 制备 背面 穿透 | ||
【主权项】：
1.一种非晶硅光电二极管模组，其特征在于，所述非晶硅光电二极管模组包括：TFT玻璃基底，包含第一面以及与所述第一面相对的第二面；第一非晶硅光电二极管，具有第一透明上电极以及第一透明下电极，所述第一非晶硅光电二极管通过所述第一透明下电极固定于所述TFT玻璃基底的第一面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奕瑞新材料科技（太仓）有限公司，未经奕瑞新材料科技（太仓）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810088118.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
