[发明专利]一种沟槽形成方法及半导体器件

摘要

本发明提供一种沟槽形成方法，包括提供一基底及基底下面的氧化层；在基底的上面涂覆光刻胶，用一掩模板对基底上的光刻胶进行曝光显影，以在基底上形成第一和第二图案；掩模板上有第一和第二掩模图案，第一掩模图案的面积大于第二掩模图案；据第一图案和第二图案对基底刻蚀，除去基底上的光刻胶，在基底上形成第一和第二沟槽，第一沟槽的深度大于第二沟槽。还提供一种半导体器件，包括基底和基底下面的氧化层，在基底上用上述沟槽形成方法形成第一和第二沟槽。本发明根据刻蚀的loading effect现象，利用一张掩模板上同时具面积不同的第一和第二掩模图案，用一次曝光显影刻蚀形成深度不同的第一和第二沟槽，简化了工艺，降低了成本。

主权项

1.一种沟槽形成方法，其特征在于，包括：提供一基底以及所述基底下面的氧化层；在所述基底的上面涂覆光刻胶，利用一掩模板对所述基底上的光刻胶进行曝光显影，以在所述基底的光刻胶上形成第一图案和第二图案；所述掩模板上具有与第一图案对应的第一掩模图案和与第二图案对应的第二掩模图案，所述第一掩模图案的面积大于所述第二掩模图案的面积；根据所述基底的光刻胶上形成的第一图案和第二图案对所述基底进行刻蚀，除去所述基底上的光刻胶，在所述基底上形成第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。