[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810093709.9 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109103192B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 崔康植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一沟道图案，该第一沟道图案包括第一水平部、垂直部、连接部和第二水平部，所述垂直部从所述第一水平部延伸，所述连接部沿着与所述垂直部相反的方向从所述第一水平部延伸，所述第二水平部沿着与所述第一水平部平行的方向从所述连接部延伸；第一栅堆叠，该第一栅堆叠包围所述第一沟道图案的所述垂直部并且设置在所述第一水平部上方；阱结构，该阱结构设置在所述第二水平部下方，并且包含第一导电类型杂质；以及第一阱接触线，该第一阱接触线与所述第二水平部和所述阱结构直接接触，以将所述第一沟道图案的所述第二水平部与所述阱结构联接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，该半导体器件包括：第一沟道图案，该第一沟道图案包括第一水平部、垂直部、连接部和第二水平部，所述垂直部沿着第一方向从所述第一水平部延伸，所述连接部沿着与所述垂直部相反的方向从所述第一水平部延伸，所述第二水平部沿着与所述第一水平部平行的方向从所述连接部延伸；第一栅堆叠，该第一栅堆叠包围所述第一沟道图案的所述垂直部并且设置在所述第一沟道图案的所述第一水平部上方；阱结构，该阱结构设置在所述第一沟道图案的所述第二水平部下方，并且包含第一导电类型的杂质；以及第一阱接触线，该第一阱接触线与所述第一沟道图案的所述第二水平部和所述阱结构直接接触，以将所述第一沟道图案的所述第二水平部与所述阱结构联接。
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