[发明专利]一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置有效
| 申请号： | 201810098238.0 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110098291B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王建太;邢汝博;杨小龙;刘会敏;孙萍;韦冬 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 许志勇 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管QLED器件及其制作方法、装置，用以缓解现有技术中量子点发光层之上形成的第一传输层中纳米粒子渗漏而影响量子点发光层的问题。该方法包括：溶解非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子，形成混合溶液；在形成的量子点发光层之上沉积混合溶液，形成包含聚合物和纳米粒子的第一传输层；其中，第一传输层中的聚合物呈网状且包裹纳米粒子，以阻隔纳米粒子渗漏至量子点发光层。从而，避免第一传输层中的纳米粒子受重力作用渗漏至量子点发光层中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 qled 器件 及其 制作方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制作量子点发光二极管QLED器件的方法，其特征在于，包括：溶解非聚电解质类的聚合物和具有无机半导体性质的纳米粒子，形成混合溶液；在形成的量子点发光层之上沉积所述混合溶液，形成包含所述聚合物和所述纳米粒子的第一传输层；其中，所述第一传输层中所述聚合物呈网状且包裹所述纳米粒子。
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