[发明专利]一种半导体金属化层阻焊的方法

摘要

本发明是一种半导体金属化层阻焊的方法，包括如下步骤：(1)晶圆涂胶、曝光、显影、烘干；(2)采用干法或湿法刻蚀半导体基体；(3)利用或溅射、或蒸发、或PVD或CVD、或电镀等方法在半导体表面制备所需的绝缘层、黏附层、种子层、可焊层、阻挡层、保护可焊层；(4)将多余区域的保护可焊层腐蚀掉；(5)利用或溅射、或蒸发、或PVD或CVD、或电镀方法在保护可焊层表面制备所需的阻焊层；(6)采用自动划片机划片；(7)选择焊料球进行焊接互连。优点：有效地解决了半导体金属化层与焊料球之间的阻焊问题；设计简单，可操作性强，适用性强，为半导体金属化层与焊料球间提供了一种切实可行的阻焊方法。

主权项

1.一种半导体金属化层阻焊的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：(1) 晶圆涂胶、曝光、显影、烘干；(2) 采用干法或湿法刻蚀半导体基体；(3) 利用或溅射、或蒸发、或PVD：Physical vapor deposition或CVD：Chemical vapor deposition、或电镀方法在半导体表面制备所需的绝缘层、黏附层、种子层、可焊层、阻挡层、保护可焊层；(4) 对保护可焊层焊盘涂胶处理后将多余区域的保护可焊层腐蚀掉；(5) 利用或溅射、或蒸发、或PVD：Physical vapor deposition或CVD：Chemical vapor deposition、或电镀方法在保护可焊层表面制备所需的阻焊层；(6) 采用自动划片机划片；(7) 选择合适的焊料球进行焊接互连。