[发明专利]具有倾斜栅电极的三维半导体存储器件有效
| 申请号： | 201810105509.0 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108389865B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 申重植;朴志勋;孙龙勋;禹钟昊;郑恩宅;车俊昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种三维半导体存储器件包括包含单元阵列区域和接触区域的衬底、包含顺序地堆叠在衬底上的栅电极的堆叠结构、穿透堆叠结构的垂直结构、以及连接到接触区域中的栅电极的端部的单元接触插塞。栅电极的端部的上表面相对于单元阵列区域中的衬底的上表面具有锐角。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 倾斜 电极 三维 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种三维半导体存储器件，包括：衬底，其包括单元阵列区域和接触区域；堆叠结构，其包括顺序地堆叠在所述衬底上的栅电极；垂直结构，其穿透所述堆叠结构；以及单元接触插塞，其连接到所述接触区域中的所述栅电极的端部，其中所述接触区域中的所述栅电极的所述端部的上表面相对于所述单元阵列区域中的所述衬底的上表面具有第一锐角。
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