[发明专利]一种高产胞外多糖旧金山乳杆菌Ls-1001菌株培养方法有效

专利信息
申请号: 201810106029.6 申请日: 2018-02-02
公开(公告)号: CN108102974B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 张国华;张纬珍;刘俊峰;孙瑜嵘;何国庆 申请(专利权)人: 山西大学
主分类号: C12N1/20 分类号: C12N1/20;C12N1/38;C12R1/225
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 代理人: 申艳玲
地址: 030006 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开了一种高产胞外多糖旧金山乳杆菌Ls‑1001菌株培养方法,包括以下步骤:将冻藏的旧金山乳杆菌斜面菌种用灭过菌的生理盐水进行稀释,直至测得在600nm处的吸光度值A=0.5为止,然后按体积分数为2%接种到100mL添加有生长促进因子的液体培养基中进行厌氧培养,培养基pH为5.0‑5.4,培养温度是30‑32℃,培养34‑36小时。本发明使旧金山乳杆菌Ls‑1001的菌种产量、胞外多糖产量与之前相比分别提高了4.6倍、1.4倍,培养时间缩短了10‑12h,具有明显的增产效果,也为今后工业化生产奠定了基础。
搜索关键词: 一种 高产 多糖 旧金山 杆菌 ls 1001 菌株 培养 方法
【主权项】:
1.一种高产胞外多糖旧金山乳杆菌Ls-1001菌株培养方法,其特征在于包括以下步骤:将冻藏的旧金山乳杆菌斜面菌种用灭过菌的生理盐水进行稀释,直至测得在600nm处的吸光度值A=0.5为止,然后按体积分数为2%接种到100mL添加有生长促进因子的液体培养基中进行厌氧培养,培养基pH为5.0-5.4,培养温度是30-32℃,培养34-36小时。
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