[发明专利]被加工物的处理装置在审
申请号: | 201810106554.8 | 申请日: | 2018-02-02 |
公开(公告)号: | CN108389824A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 有田毅彦;三森章祥;山口伸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够进行与热输入量的分布变化相对应的调温的技术。在一个实施方式的处理装置中,流动制冷剂的冷却台包含第一区域~第三区域和制冷剂的流路组,第一区域~第三区域沿冷却台上的静电吸盘的表面配置,第一区域配置在冷却台的中央,第二区域以包围第一区域的方式配置,第三区域以包围第一区域和第二区域的方式配置,流路组包括第一流路~第三流路,第一流路配置在第一区域,第二流路配置在第二区域,第三流路配置在第三区域,制冷剂的配管系统包括第一阀组和第二阀组,第一流路与第二流路之间和第二流路与第三流路之间均经由第一阀组连接,冷却单元与流路组经由第二阀组连接。由此,能够进行与热输入量的分布的变化相对应的调温。 | ||
搜索关键词: | 第一区域 第二流路 第二区域 第一流路 流路组 流路 制冷剂 处理装置 第二阀组 第一阀组 方式配置 热输入量 配置 冷却台 调温 流动制冷剂 包围 被加工物 表面配置 分布变化 静电吸盘 冷却单元 配管系统 冷却 | ||
【主权项】:
1.一种被加工物的处理装置,其特征在于,包括:腔室主体;设置在所述腔室主体的内部的用于载置所述被加工物的载置台;输出制冷剂的冷却单元;和与所述冷却单元连接的用于流动所述制冷剂的配管系统,所述载置台包括:与所述配管系统连接,流动经由该配管系统被供给来的所述制冷剂的冷却台;和设置在所述冷却台之上的静电吸盘,所述冷却台包括第一区域、第二区域和第三区域,以及与所述配管系统连接的用于流动所述制冷剂的流路组,所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域沿所述静电吸盘的表面配置,所述第一区域在从所述静电吸盘的上方看时配置在所述冷却台的中央,所述第二区域在从所述静电吸盘的上方看时以包围所述第一区域的方式配置,所述第三区域在从所述静电吸盘的上方看时以包围所述第一区域和所述第二区域的方式配置,所述流路组包括第一流路、第二流路和第三流路,所述第一流路配置在所述第一区域,所述第二流路配置在所述第二区域,所述第三流路配置在所述第三区域,所述配管系统包括第一阀组和第二阀组,在所述流路组中,所述第一流路与所述第二流路之间、该第二流路与所述第三流路之间均经由所述第一阀组连接,所述冷却单元与所述流路组经由所述第二阀组连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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