[发明专利]三维闪存器件的制造方法

摘要

本发明涉及通过采用基于高压超临界的氧化物组成比最佳化技术来以超临界蒸镀工序或高压致密化工序形成纵横比非常大的三维闪存器件的介电填料的三维闪存器件的制造方法，可通过低温高压热处理来对用于填充介电质的介电填料进行填充，从而可改善三维闪存器件的特性和可靠性。

主权项

1.一种三维闪存器件的制造方法，用于制造向具有高纵横比的间隙填充作为无空隙的介电质的三维闪存器件，其特征在于，用于填充上述介电质的介电填料通过低温高压热处理来进行填充。