[发明专利]一种发光二极管电极装置在审
| 申请号： | 201810107474.4 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108461597A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 吴小明;刘军林;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 赵艾亮 |
| 地址： | 330027 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管电极装置，该发光二极管电极装置包括N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极；N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极依次接触；其中N电极包括N电极电流扩展层和N电极欧姆接触金属层，N电极电流扩展层与N型半导体导电层直接接触；其中P电极包括P电极电流扩展层和P电极欧姆接触金属层，P电极电流扩展层与P型半导体导电层直接接触。本发明有利于提高器件的电光转换效率，方法简单，制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 导电层 电流扩展层 发光二极管电极 欧姆接触金属层 发光层 电光转换效率 制造成本 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管电极装置，其特征在于：所述发光二极管电极装置包括N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极；所述N电极、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层和P电极依次接触；所述N电极包括N电极电流扩展层和N电极欧姆接触金属层，N电极电流扩展层与N型半导体导电层直接接触；所述P电极包括P电极电流扩展层和P电极欧姆接触金属层，P电极电流扩展层与P型半导体导电层直接接触。
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