[发明专利]一种改变多晶电阻阻值的方法在审
| 申请号： | 201810113551.7 | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN108321147A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 赵鹏辉;王立芳 | 申请（专利权）人： | 华大半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅;李镝的 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改变多晶电阻阻值的方法，包括：确定需要改变阻值的多晶电阻的位置；以及修改用于所述多晶电阻的金属硅化物阻挡层掩膜版的光罩图形。通过本发明公开的方法极大的降低了用ECO的方法减小片上POLY电阻阻值的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 多晶 金属硅化物阻挡层 掩膜版 光罩 减小 | ||
【主权项】：
1.一种改变多晶电阻阻值的方法，包括：确定需要改变阻值的多晶电阻的位置；以及修改用于所述多晶电阻的金属硅化物阻挡层掩膜版的光罩图形。
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