[发明专利]具无倒角通孔多图型化的装置及形成无倒角通孔的方法有效
| 申请号： | 201810116365.9 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN108447820B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 杰森·伊葛尼·史蒂芬;大卫·麦可·佩尔曼;古拉密·波奇;安迪·韦;马克·扎列斯基;安布·瑟尔泛·玛哈林更;奇拉·麦克·其尔德二世;罗德瑞克·艾伦·安葛尔;萨姆·佩尔;林斯·詹;胡项;A·塞加尔 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具无倒角通孔多图型化的装置及形成无倒角通孔的方法，所揭示的是半导体装置以及利用无倒角通孔多图型化制作该等半导体装置的方法。一种方法举例来说，包括：获得中间半导体装置；进行沟槽蚀刻到该中间半导体装置的一部分内以形成沟槽图型；沉积蚀刻堆叠；进行至少一个通孔图型化程序；以及形成至少一个通孔开口到该中间半导体装置的一部分内。此外，还揭示一种中间半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 倒角 通孔多图型化 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含：获得中间半导体装置；进行沟槽蚀刻到该中间半导体装置的一部分内以形成沟槽图型；沉积蚀刻堆栈；进行至少一个通孔图型化程序；以及形成至少一个通孔开口到该中间半导体装置的一部分内，其中，该至少一个通孔开口与该沟槽图型的至少一部分自对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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