[发明专利]具无倒角通孔多图型化的装置及形成无倒角通孔的方法有效

专利信息
申请号: 201810116365.9 申请日: 2018-02-06
公开(公告)号: CN108447820B 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 杰森·伊葛尼·史蒂芬;大卫·麦可·佩尔曼;古拉密·波奇;安迪·韦;马克·扎列斯基;安布·瑟尔泛·玛哈林更;奇拉·麦克·其尔德二世;罗德瑞克·艾伦·安葛尔;萨姆·佩尔;林斯·詹;胡项;A·塞加尔 申请(专利权)人: 格芯(美国)集成电路科技有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/538
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及具无倒角通孔多图型化的装置及形成无倒角通孔的方法,所揭示的是半导体装置以及利用无倒角通孔多图型化制作该等半导体装置的方法。一种方法举例来说,包括:获得中间半导体装置;进行沟槽蚀刻到该中间半导体装置的一部分内以形成沟槽图型;沉积蚀刻堆叠;进行至少一个通孔图型化程序;以及形成至少一个通孔开口到该中间半导体装置的一部分内。此外,还揭示一种中间半导体装置。
搜索关键词: 倒角 通孔多图型化 装置 形成 方法
【主权项】:
1.一种方法,包含:获得中间半导体装置;进行沟槽蚀刻到该中间半导体装置的一部分内以形成沟槽图型;沉积蚀刻堆栈;进行至少一个通孔图型化程序;以及形成至少一个通孔开口到该中间半导体装置的一部分内,其中,该至少一个通孔开口与该沟槽图型的至少一部分自对准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯(美国)集成电路科技有限公司,未经格芯(美国)集成电路科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810116365.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top