[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在第二槽区中获取若干分立的接触孔区；根据接触孔区的位置，获取位于第二槽区中的第二槽修正区，第二槽修正区的宽度小于第二槽区的宽度；在介质层第二槽修正区和第一槽区上分别形成牺牲层；在介质层上形成第一侧墙和第二侧墙；在第二侧墙暴露出的第二槽区上形成阻挡层，且阻挡层的边缘至相邻的第一槽区上牺牲层边缘的距离等于第一侧墙和第二侧墙之间的最小距离；之后去除牺牲层；之后以阻挡层、第一侧墙和第二侧墙为掩膜刻蚀介质层，在第一侧墙两侧的介质层中形成第一凹槽，在介质层第二槽修正区中形成第二凹槽。提高了半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供介质层，所述介质层包括第一槽区和若干第二槽区，第一槽区和第二槽区相互分立，第一槽区位于相邻的第二槽区之间，第二槽区的宽度大于第一槽区的宽度；在第二槽区中获取若干分立的接触孔区；根据接触孔区的位置，获取位于第二槽区中的第二槽修正区，所述第二槽修正区含盖接触孔区，第二槽修正区的宽度小于第二槽区的宽度；在介质层第二槽修正区和第一槽区上分别形成牺牲层；在介质层上形成第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙位于第一槽区上牺牲层沿第一槽区宽度方向的两侧侧壁，第二侧墙位于第二槽修正区上牺牲层沿第二槽修正区宽度方向的两侧侧壁；在第二侧墙暴露出的第二槽区上形成阻挡层，且阻挡层的边缘至相邻的第一槽区上牺牲层边缘的距离等于第一侧墙和第二侧墙之间的最小距离；形成阻挡层后，去除牺牲层；去除牺牲层后，以阻挡层、第一侧墙和第二侧墙为掩膜刻蚀介质层，在第一侧墙两侧的介质层中形成第一凹槽，在介质层第二槽修正区中形成第二凹槽。