[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法有效
| 申请号： | 201810117822.6 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN110119061B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 杜杳隽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近修正方法包括：提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形包括多个子目标刻蚀图形；提供偏移补偿模型；将子目标刻蚀图形的各边分割为若干分割边；根据所述偏移补偿模型，对各分割边进行补偿修正，得到补偿图形；获取补偿图形对应的掩膜层图形；对掩膜层图形进行OPC修正，得到修正图。形所述光学邻近修正方法提高了修正精度。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 邻近 修正 方法 掩膜版 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形包括多个子目标刻蚀图形；提供偏移补偿模型；将子目标刻蚀图形的各边分割为若干分割边；根据所述偏移补偿模型，对各分割边进行补偿修正，得到补偿图形；获取补偿图形对应的掩膜层图形；对掩膜层图形进行OPC修正，得到修正图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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