[发明专利]导电柱的形成方法、封装结构及封装方法有效
| 申请号： | 201810118213.2 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN110120350B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨素素 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/485;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种导电柱的形成方法、封装结构及封装方法。通过在第一衬底中形成具有较大深度的凹槽，接着在凹槽中形成导电层，以及结合键合工艺使第一衬底中的导电层键合到第二衬底上，并去除第一衬底使导电层暴露出以构成导电柱，如此即可形成具备较大高度的导电柱。在封装过程中，由于导电柱具备较大的高度，从而可确保导电柱能够越过凸起结构而焊接至目标焊垫上。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 形成 方法 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种导电柱的形成方法，其特征在于，包括：提供一第一衬底，所述第一衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且所述第一衬底中形成有至少一个凹槽，所述凹槽从所述第一表面延伸至所述第一衬底中；在所述第一衬底的所述凹槽中填充一导电层；将所述第一衬底键合在一第二衬底上，并且所述第一衬底的所述第一表面朝向所述第二衬底，以使所述导电层键合在所述第二衬底上；以及，去除所述第一衬底，以暴露出所述导电层并用于构成所述导电柱。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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