[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201810129064.X | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN108336096B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈发祥;吴彦佑;林世亮 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管基板的制造方法包括下列步骤。于基底上形成半导体层。形成第一绝缘层，以覆盖半导体层。于第一绝缘层上形成第一导电层，其中第一绝缘层位于第一导电层与半导体层之间。在形成第一绝缘层之后及形成第一导电层之前，对半导体层进行第一氢化等离子体处理工艺。于基底上形成第二导电层，其中第二导电层与半导体层电性连接。此外，通过上述薄膜晶体管基板的制造方法所形成的薄膜晶体管基板也被提出。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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