[发明专利]一种改善光刻标记对准的方法、用于光刻标记对准的外延层及超级结的制备方法

摘要

一种改善光刻标记对准的方法、用于光刻标记对准的外延层及超级结的制备方法，属于微电子芯片领域。方法包括：提供形成有外延层的衬底，且外延层具有远离衬底的顶表面、从顶表面向内部延伸形成的凹槽，凹槽由底壁和侧壁限定，底壁与外延层的顶表面平行，侧壁沿顶表面向外延层的方向延伸；在侧壁的部分或全部形成薄膜。利用此方法进行光刻标记有利于在后续的制造过程中获得较好、更易实现的对准效果。

主权项

1.一种改善光刻标记对准的方法，其特征在于，所述方法包括：提供形成有外延层的衬底，且所述外延层具有远离所述衬底的顶表面、从所述顶表面向内部延伸形成的凹槽，所述凹槽由底壁和侧壁限定，所述底壁与所述外延层的所述顶表面平行，所述侧壁沿所述顶表面向所述外延层的方向延伸；以使所述底壁暴露且所述侧壁的部分或全部形成薄膜的方式在所述凹槽内沉积薄膜。