[发明专利]检测存储器阵列中的错位并调整读取和验证定时参数

摘要

存储器器件和相关联的技术最优地调节对于存储器单元的每个区块或子区块的电压斜坡时间，以考虑制造变化。由于制造工艺中的错位，字线和选择栅极线的宽度可以在不同的子区块中变化。电阻和电压建立时间基于宽度而变化。在一个方面中，对于选择栅极线确定最短可接受的斜降周期。该周期避免了过多的读取错误。然后对于每个子区块，确定对应的最短可接受的字线电压斜坡周期。可以在所测试的子区块或区块当中检测斜降周期的模式，并且将该模式用于在其它子区块或区块中设定斜降周期。因此最小化编程操作或读取操作的总时间。

主权项

1.一种设备，包括：多个存储器单元的区块，其中在每个区块中，将所述存储器单元布置成多个子区块中的垂直串，其中每个区块包括垂直地间隔开的导电层，所述垂直地间隔开的导电层包括连接到所述存储器单元的字线，并且将所述多个子区块布置成衬底上的行；以及控制电路，将所述控制电路配置为具有用于每个子区块的电压斜坡周期，所述用于每个子区块的电压斜坡周期是所述行中的子区块的位置的函数，其中所述电压斜坡周期用于施加到所述导电层中的至少一个的电压。