[发明专利]一种相移掩模板、阵列基板、其制备方法及显示装置有效
| 申请号： | 201810142882.3 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108363270B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张小祥;刘明悬;郭会斌;徐文清;李小龙;吴祖谋;宋勇志 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相移掩模板、阵列基板、其制备方法及显示装置，相移掩模板在曝光时，虽然走线遮光部对应的区域也存在过曝光的问题，但是将遮光区域的宽度设置成大于图形的设定宽度，虽然形成的图形的实际宽度会小于遮光区域的宽度，但是大于现有相移掩模板的走线遮光部形成的图形的宽度。因此本发明实施例提供的相移掩模板通过调节遮光区域比图形的设定宽度大的宽度，可以使形成的图形的实际宽度等于设定宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相移 模板 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种相移掩模板，包括基板，位于所述基板上的走线遮光部；其中，所述走线遮光部具有遮光区域和相移区域，其特征在于，在垂直于所述走线遮光部的延伸方向上，所述遮光区域的宽度大于所述走线遮光部对应的区域所形成的图形的设定宽度。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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