[发明专利]一种FinFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810144441.7 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108305901A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 郭奥;刘林林 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作FinFET器件的方法，包括以下步骤：S01：在衬底上制备鳍结构，在鳍结构中间位置形成栅介质和栅极；S02：在鳍结构两端分别定义出源极区域和漏极区域，并在源极区域和漏极区域中刻蚀出源极凹槽和漏极凹槽；S03：在源极凹槽和漏极凹槽中分别制备金属型源极和金属型漏极；S04：对源极和漏极进行金属引出及后道工艺制备。本发明提供的一种FinFET器件及其制备方法，通过直接制备金属型源极和金属型漏极可大幅降低FinFET器件的寄生电阻，同时形成的替换型金属源漏结构也改进了目前主流的提升源漏结构，可显著降低FinFET器件的边缘电容，从而达到降低寄生电容的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 金属型 制备 鳍结构 漏极 源极 漏极凹槽 漏极区域 源极凹槽 源极区域 边缘电容 工艺制备 寄生电容 寄生电阻 金属源漏 源漏结构 直接制备 替换型 栅介质 衬底 刻蚀 金属 主流 制作 改进 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET器件，其特征在于，包括位于衬底之上的鳍结构，位于鳍结构上的栅介质、栅极、源极、漏极以及金属引出层，所述栅极和栅介质覆盖于鳍结构中间部分的两侧和上表面，所述源极和漏极分别位于鳍结构两端的凹槽中，所述凹槽通过刻蚀栅极两侧的鳍结构得出，所述源极为金属型源极，所述漏极为金属型漏极，所述金属引出层用于将源极和漏极引出。
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