[发明专利]一种基于SOI工艺的压控振荡器电路在审
| 申请号： | 201810146296.6 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108462471A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 陈卓俊;董业民;单毅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H03B5/32 | 分类号： | H03B5/32 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪;杨希 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于SOI工艺的压控振荡器电路，其包括：依次连接的偏置单元、四级差分延迟模块以及输出缓冲单元，其中，所述偏置单元接收一外围输入的电压信号，并向所述四级差分延迟模块提供一偏置电压；所述四级差分延迟模块四个依次连接的延迟单元，且每个所述延迟单元具有正、负输入端和正、负输出端，其中，第一个所述延迟单元的正、负输入端分别与第四个所述延迟单元的负、正输出端连接；所述输出缓冲单元的正、负输入端分别与第四个所述延迟单元的正、负输出端连接，其正、负输出端分别产生差分输出信号。本发明具有结构简单、面积小、相位噪声低、抗辐射性能强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 延迟单元 负输出端 负输入端 延迟模块 压控振荡器电路 输出缓冲单元 偏置单元 依次连接 差分输出信号 电压信号 相位噪声 正输出端 抗辐射 外围 | ||
【主权项】：
1.一种基于SOI工艺的压控振荡器电路，其特征在于，所述电路包括：依次连接的偏置单元、四级差分延迟模块以及输出缓冲单元，其中，所述偏置单元接收一外围输入的电压信号，并向所述四级差分延迟模块提供一偏置电压；所述四级差分延迟模块包括四个依次连接的延迟单元，且每个所述延迟单元具有正、负输入端和正、负输出端，其中，第一个所述延迟单元的正、负输入端分别与第四个所述延迟单元的负、正输出端连接，其正、负输出端分别与第二个所述延迟单元的正、负输入端连接；第三个所述延迟单元的正、负输入端分别与第二个所述延迟单元的正、负输出端连接，其正、负输出端分别与第四个所述延迟单元的正、负输入端连接；所述输出缓冲单元的正、负输入端分别与第四个所述延迟单元的正、负输出端连接，其正、负输出端分别产生差分输出信号。
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