[发明专利]具有带有多电介质栅极堆叠体的Ⅲ-Ⅴ族材料有源区的非平面半导体器件有效
| 申请号： | 201810146657.7 | 申请日： | 2013-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108198852B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | G·杜威;M·拉多萨夫列维奇;R·皮拉里塞泰;B·舒-金;N·慕克吉 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/201;H01L29/205;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/335;H01L29/775;H01L29/78;H01L29/786;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了具有带有多电介质栅极堆叠体的Ⅲ‑Ⅴ族材料有源区的非平面半导体器件。例如，半导体器件包括设置在衬底上方的异质结构。异质结构包括具有沟道区的三维Ⅲ‑Ⅴ族材料体。源极和漏极材料区设置在所述三维Ⅲ‑Ⅴ族材料体上方。沟槽设置在所述源极和漏极材料区中，将源极区与漏极区分开，并且暴露所述沟道区的至少一部分。栅极堆叠体设置在所述沟槽中并且设置在所述沟道区的暴露的部分上。所述栅极堆叠体包括第一和第二电介质层以及栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 带有 电介质 栅极 堆叠 材料 有源 平面 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：异质结构，其设置在衬底上方并且包括具有沟道区的三维Ⅲ‑Ⅴ族材料体，并且所述异质结构还包括设置在所述衬底与所述三维Ⅲ‑Ⅴ族材料体之间的底部半导体势垒层；源极和漏极材料区，其设置在所述三维Ⅲ‑Ⅴ族材料体上方；沟槽，其设置在所述源极和漏极材料区中，将源极区与漏极区分开，所述沟槽还至少部分地设置在所述底部半导体势垒层中并且完全暴露所述沟道区；以及栅极堆叠体，其设置在所述沟槽中并且设置在所述沟道区上，并且所述栅极堆叠体完全包围所述沟道区，所述栅极堆叠体包括：第一电介质层，其与所述沟槽共形并且设置在所述沟道区的外部部分上，但不设置在内部部分上；不同的第二电介质层，其与所述第一电介质层共形并且设置在所述沟道区的所述内部部分上；以及栅极电极，其设置在所述第二电介质层上,其中，所述沟槽仅部分地设置在所述底部半导体势垒层中。
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