[发明专利]具有较低的远场辐射和较高的噪声抗扰度的耦合线圈有效
| 申请号： | 201810147668.7 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108428534B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | K·G·里查森 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28;H01F27/30;H01F41/04;H01F38/14 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有较低的远场辐射和较高的噪声抗扰度的耦合线圈。描述微制造的线圈。在一些情况中，微制造的线圈包括交错线圈。在一些情况中，交错线圈对相对比彼此堆叠，由隔离材料分离开。在一些情况中，交错线圈具有S‑状。交错线圈可用于电流隔离器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 辐射 噪声 抗扰度 耦合 线圈 | ||
【主权项】：
1.微制造的线圈结构，包括：基板；在所述基板上的第一对交错线圈；在所述基板上的第二对交错线圈，所述第二对交错线圈电磁耦合所述第一对交错线圈；和隔离层，使所述第一对交错线圈和所述第二对交错线圈分离。
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