[发明专利]一种Mo掺杂石墨相氮化碳纳米片粉末及其制备方法在审
| 申请号： | 201810148642.4 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108273540A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 孙少东;梁淑华;李佳;苟旭峰;崔杰;杨卿 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J37/10;B01J37/08;B01J35/10;C01B3/04 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 胡燕恒 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Mo掺杂石墨相氮化碳纳米片粉末的制备方法，以三聚氰胺、钼酸钠、硫脲和水作原材料，采用钼酸钠和硫脲辅助水热处理三聚氰胺制备出改性前驱体；然后对上述改性前驱体进行高温煅烧，即可获得Mo掺杂g‑C3N4纳米片粉末。本发明还公开了采用上述方法制备得到的Mo掺杂g‑C3N4纳米片粉末。所获得的Mo掺杂g‑C3N4纳米粉末是具有高比表面积的纳米片，且金属元素Mo掺入g‑C3N4骨架内可以优化能带结构，为g‑C3N4提供了更多捕获光生电子和空穴的陷阱，有效提高了材料的光催化性能。本发明方法具有反应过程简单、易于控制、使用原料成本低、对设备无特殊要求的优点，适合大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 制备 纳米片 氮化碳纳米 三聚氰胺 前驱体 石墨相 钼酸钠 改性 硫脲 大规模工业化生产 空穴 光催化性能 高温煅烧 光生电子 金属元素 纳米粉末 能带结构 水热处理 原料成本 对设备 掺入 水作 捕获 陷阱 优化 | ||
【主权项】：
1.一种Mo掺杂石墨相氮化碳纳米片粉末的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，改性前驱体的制备：将三聚氰胺、钼酸钠、硫脲、去离子水加入反应釜中，搅拌均匀，放入烘箱中进行水热反应，得到固液混合物；然后对固液混合物进行洗涤、干燥，得到改性前驱体；步骤2，Mo掺杂g‑C3N4纳米片粉末的制备：对步骤1得到的改性前驱体进行高温煅烧，即得到Mo掺杂g‑C3N4纳米片粉末。
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