[发明专利]基板液处理装置有效
申请号: | 201810150054.4 | 申请日: | 2018-02-13 |
公开(公告)号: | CN108428645B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 永井高志;佐藤秀明;北野淳一;後藤堅司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种更精确地控制处理槽内的处理液的温度的基板液处理装置。基板液处理装置具备:处理槽(34),其贮存处理液,并且通过将基板浸于所贮存的处理液中来进行基板的处理;循环线(50),其与处理槽连接;泵(51),其设置于循环线,用于形成从处理槽出来经过循环线后返回到处理槽的所述处理液的流动;以及加热器(52),其设置于循环线,加热处理液。设置有设置于包括处理槽和循环线的循环系统内的彼此不同的位置的至少两个温度传感器(81、82、83)。控制器(90、100)基于这至少两个温度传感器的检测温度来控制加热器的发热量。 | ||
搜索关键词: | 基板液 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板液处理装置,具备:处理槽,其贮存处理液,并且通过将基板浸于所贮存的所述处理液中来进行所述基板的处理;循环线,其与所述处理槽连接;泵,其设置于所述循环线,用于形成从所述处理槽出来经过所述循环线后返回到所述处理槽的所述处理液的流动;加热器,其设置于所述循环线,加热所述处理液;至少两个温度传感器,其设置于包括所述处理槽和所述循环线的循环系统内的彼此不同的位置;以及控制器,其基于所述至少两个温度传感器的检测温度来控制所述加热器的发热量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造