[发明专利]存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810152082.X | 申请日： | 2018-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN109148508B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 宋苏智;金成元;朴日穆;朴钟撤;郑智贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/20;H10B61/00;G11C11/16;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储器件及其制造方法。一种存储器件包括：第一导线；第二导线，所述第二导线沿与所述第一导线相交的方向延伸，使得所述第一导线和所述第二导线在所述第一导线和所述第二导线之间的交叉点处竖直地交叠；以及，存储单元柱，所述存储单元柱位于所述交叉点处。所述存储单元柱可以包括加热电极层和接触所述加热电极层的电阻式存储层。所述电阻式存储层可以包括：楔形存储部和体存储部，所述楔形存储部的宽度随着与所述加热电极层的距离的增加而成比例地连续增加，所述体存储部连接到所述楔形存储部，使得所述体存储部和所述楔形存储部构成单个连续的层，所述体存储部的宽度大于所述楔形存储部的最大宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：第一导线，所述第一导线沿第一方向在衬底上延伸；第二导线，所述第二导线沿与所述第一方向相交的第二方向在所述第一导线上方延伸，使得所述第一导线和所述第二导线在所述第一导线和所述第二导线之间的交叉点处竖直地交叠；和存储单元柱，所述存储单元柱位于所述第一导线和所述第二导线之间的所述交叉点处，所述存储单元柱在相对的两端处分别连接到所述第一导线和所述第二导线，所述存储单元柱包括加热电极层和电阻式存储层，所述电阻式存储层接触所述加热电极层，其中，所述电阻式存储层包括：楔形存储部，所述楔形存储部具有倾斜侧壁使得所述楔形存储部的宽度随着与所述加热电极层的距离的增加而成比例地连续增加，和体存储部，所述体存储部连接到所述楔形存储部使得所述体存储部和所述楔形存储部构成单个连续的层，所述体存储部的宽度大于所述楔形存储部的最大宽度。
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