[发明专利]氧化硅的选择性沉积

摘要

氧化硅的选择性沉积。本发明涉及使用原子层蚀刻重置进行选择性沉积。提供了用于通过在半导体衬底上选择性沉积材料而在该衬底上进行沉积的方法。所述衬底具有多种衬底材料，每一种具有对应于在其上所沉积的所述材料的不同核化延迟。具体而言，根据成核延迟差值，与第一衬底材料相关联的成核延迟小于与第二衬底材料相关的成核延迟，其中在所述第一衬底材料上预期进行沉积，而在所述第二衬底材料上预期不进行沉积，所述成核延迟差值随着所述沉积的进行而减小。蚀刻所沉积的所述材料的一部分以重设所述第一衬底材料和所述第二衬底材料之间的成核延迟差值。所述材料进一步在所述衬底上选择性沉积。

主权项

1.一种在半导体衬底上进行沉积的方法，所述方法包括：在半导体衬底上选择性沉积材料，所述衬底包括多种衬底材料，所述多种衬底材料具有对应于根据成核延迟差值在其上所沉积的所述材料的不同核化延迟；蚀刻沉积在所述衬底上的所述材料的一部分以重设所述衬底材料之间的成核延迟差值；并且进一步在所述衬底上选择性沉积所述材料。