[发明专利]一种低反射率单晶硅片的制绒方法有效

专利信息
申请号: 201810158233.2 申请日: 2018-02-25
公开(公告)号: CN108360071B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 蔡国华 申请(专利权)人: 温岭汉德高分子科技有限公司
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 317523 浙江省台*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及单晶硅片制备领域,公开了一种低反射率单晶硅片的制绒方法,包括:1)将壳聚糖‑聚2‑丙烯酰胺基‑2‑甲基丙磺酸钠共聚物、甲基甘氨二乙酸钠、3‑甲氧基‑3‑甲基‑1‑丁醇、苯氧乙醇溶解到水中,混合均匀;2)将制绒添加剂加到碱溶液中,混合均匀;3)将单晶硅片置入制绒液中进行制绒。本发明采用壳聚糖‑聚2‑丙烯酰胺基‑2‑甲基丙磺酸钠共聚物、甲基甘氨二乙酸钠、3‑甲氧基‑3‑甲基‑1‑丁醇、苯氧乙醇等作为制绒添加剂原料,组分绿色环保,制绒时间短,制绒后所获得的单晶硅片上四面方锥体均匀,硅片反射率低。
搜索关键词: 一种 反射率 单晶硅 方法
【主权项】:
1.一种低反射率单晶硅片的制绒方法,其特征在于包括以下步骤:1)制绒添加剂的配制:依次将壳聚糖‑聚2‑丙烯酰胺基‑2‑甲基丙磺酸钠共聚物、甲基甘氨二乙酸钠、3‑甲氧基‑3‑甲基‑1‑丁醇、苯氧乙醇溶解到水中,混合均匀;2)制绒液的配制:将步骤1)制得的制绒添加剂加到碱溶液中,混合均匀;3)将单晶硅片置入步骤2)制得的制绒液中进行制绒。
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