[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810158631.4 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108511410A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 萱岛祐治;关口智久 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置，提高半导体装置的可靠性。在半导体基板上隔着层间绝缘膜形成与布线(M2a)，在该层间绝缘膜上以覆盖布线(M2a)的方式形成有层间绝缘膜(IL3)，在层间绝缘膜(IL3)上形成有焊盘(PD1)。在层间绝缘膜(IL3)上，形成有具有暴露焊盘(PD1)的开口部(OP3)的层叠膜(LM)，在包括从开口部(OP3)暴露的焊盘(PD1)之上在内的层叠膜(LM)上形成有焊盘(PD1)电连接的再布线(RW)。布线(M2a)的端部位于焊盘(PD1)与再布线(RW)的连接区域(CN)的下方。在布线(M2a)中形成有多个开口部(SL)，在俯视观察时，多个开口部(SL)的至少一部分与连接区域(CN)重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 层间绝缘膜 焊盘 开口部 半导体装置 布线 连接区域 层叠膜 再布线 半导体基板 俯视观察 电连接 覆盖布 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板；第一布线，在所述半导体基板上隔着第一层间绝缘膜形成；第二层间绝缘膜，在所述第一层间绝缘膜上以覆盖所述第一布线的方式形成；第一焊盘，形成在所述第二层间绝缘膜上；第一绝缘膜，形成在所述第二层间绝缘膜上，具有暴露所述第一焊盘的第一开口部；第二布线，形成在包括从所述第一开口部暴露的所述第一焊盘之上在内的所述第一绝缘膜上，与所述第一焊盘电连接；以及第二焊盘，形成在所述第一绝缘膜上，与所述第二布线成一体地连接，其中，在俯视观察时，所述第一布线的至少一部分与所述第一焊盘重叠，所述第一布线的端部位于所述第一焊盘与所述第二布线的连接区域的下方，在所述第一布线中的第一区域形成有多个第二开口部，在俯视观察时，所述第一区域的至少一部分与所述连接区域重叠。
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