[发明专利]波导元件、发光装置以及波导元件的制造方法在审
| 申请号： | 201810160351.7 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108873162A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 彦坂年辉 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及波导元件、发光装置以及波导元件的制造方法，提供能够提高效率的波导元件、发光装置以及波导元件的制造方法。根据实施方式，波导元件包括第1晶体区域以及第2晶体区域。所述第1晶体区域在第1方向上延伸，包括第1氮化物半导体。所述第2晶体区域在所述第1方向上延伸，包括第2氮化物半导体，并且与所述第1晶体区域连续。从所述第1晶体区域向所述第2晶体区域的第2方向与所述第1方向交叉。所述第1晶体区域的＜0001＞方向是从所述第1晶体区域向所述第2晶体区域。所述第2晶体区域的＜0001＞方向是从所述第2晶体区域向所述第1晶体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体区域 波导元件 发光装置 氮化物半导体 制造 方向交叉 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种波导元件，具备：第1晶体区域，在第1方向上延伸，包括第1氮化物半导体；以及第2晶体区域，在所述第1方向上延伸，包括第2氮化物半导体，并且与所述第1晶体区域连续，从所述第1晶体区域向所述第2晶体区域的第2方向与所述第1方向交叉，所述第1晶体区域的＜0001＞方向是从所述第1晶体区域向所述第2晶体区域，所述第2晶体区域的＜0001＞方向是从所述第2晶体区域向所述第1晶体区域。
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