[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810162001.4 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109727867B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 马克·范·达尔;戈本·多恩伯斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/335;H01L29/78;H01L29/775;H01L29/06;H01L29/786;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。在制造半导体器件的方法中，形成鳍结构，该鳍结构具有底部、设置在底部上方的中间部分以及设置在中间部分上方的上部。去除鳍结构的源极/漏极区域处的中间部分，从而在底部和上部之间形成间隔。在间隔中形成绝缘层。在上部上方形成源极/漏极接触层。源极/漏极接触层通过绝缘层与鳍结构的底部分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成鳍结构，所述鳍结构具有底部、设置在所述底部上方的中间部分以及设置在所述中间部分上方的上部；去除所述鳍结构的源极/漏极区域处的所述中间部分，从而在所述底部和所述上部之间形成间隔；在所述间隔中形成绝缘层；以及在所述上部上方形成源极/漏极接触层，其中，所述源极/漏极接触层通过所述绝缘层与所述鳍结构的底部分隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
