[发明专利]离子注入装置有效
| 申请号： | 201810163692.X | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108505009B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木玄;藤田胜士 | 申请（专利权）人： | 住友重机械离子科技株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;H01L21/265 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 夏斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子注入装置。其课题在于提高离子注入装置中的射束能量测定的校正精度。离子注入装置(100)具备：离子源(10)，能够输出包含具有与引出电压相应的已知的能量的多价离子的校正用离子束；上游射束线(102)，包括质谱分析磁铁(22a)和高能量多级直线加速单元(14)；能量分析磁铁(24)；射束能量测定装置(200)，在能量分析磁铁(24)的下游测定校正用离子束的能量；及校正序列部，制作表示已知的能量与通过射束能量测定装置(200)测定出的校正用离子束的能量之间的对应关系的能量校正表。上游射束线压力在离子注入处理期间被调整为第1压力，在制作能量校正表的期间被调整为高于第1压力的第2压力。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 装置 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：离子源，能够输出包含具有与引出电压相应的已知的能量的多价离子的校正用离子束；上游射束线，设置于所述离子源的下游，且包括质谱分析磁铁和高频线性加速器；能量分析磁铁，设置于所述上游射束线的下游；射束能量测定装置，在所述能量分析磁铁的下游测定所述校正用离子束的能量；上游射束线压力调整装置，连接于所述上游射束线，以便在离子注入处理期间将上游射束线压力调整为第1压力；及校正序列部，制作表示所述已知的能量与通过所述射束能量测定装置测定出的所述校正用离子束的能量之间的对应关系的能量校正表，所述校正序列部控制所述上游射束线压力调整装置，以便在制作所述能量校正表的期间将所述上游射束线压力调整为高于所述第1压力的第2压力。
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