[发明专利]成膜装置在审
申请号: | 201810165871.7 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN108505020A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 小川淳;吹上纪明;大槻志门;尾谷宗之;辛川孝行;小山峻史;岩崎征英 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/455;C23C16/511;H01L21/027;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及成膜装置,提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术,该成膜装置遍及基板的径向地向载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。在以沿旋转台的径向横跨晶圆的移动区域的方式供给气体、以包围气体喷出区域的周围的方式设置有排气口的气体供排气单元中,沿旋转台的径向将气体喷出区域划分为三个以上的区域。而且,在气体喷出区域中的内侧区域中,在与晶圆的通过区域的内侧的周缘相向的区域设置有气体喷出孔,在外侧区域中,在晶圆的通过区域的外侧的周缘设置有气体喷出孔。因此,能够使向晶圆的通过区域的缘部供给的气体的供给量增多,因此能够抑制晶圆的周缘的膜厚的降低。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 成膜装置 旋转台 喷出 气体喷出孔 膜厚 供给量 方式设置 供给气体 基板供给 径向横跨 内侧区域 排气单元 区域设置 外侧区域 移动区域 周缘设置 排气口 成膜 基板 相向 缘部 包围 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,使向真空容器内依次供给第一处理气体和第二处理气体的周期进行多次来对基板进行成膜处理,该成膜装置的特征在于,具备:旋转台,在所述旋转台的一面侧形成用于载置基板的基板载置区域,所述旋转台用于使所述基板载置区域在所述真空容器内进行公转;第一气体供给部,其在与所述旋转台相向的相向面上具备形成有多个孔径彼此一致的第一气体的喷出孔的气体喷出部、包围该气体喷出部的排气口以及包围该排气口的吹扫气体的喷出口;第二气体供给部,其用于向相对于所述第一气体供给部沿所述旋转台的周向分离地设置的区域供给第二气体;以及排气口,其用于对所述真空容器内进行真空排气,其中,所述气体喷出部具备沿旋转台的径向分割得到的、且各自独立地被供给第一气体的三个以上的气体喷出区域,如果将所述旋转台的中心侧定义为内侧、将外周侧定义为外侧,则在位于最外侧位置的气体喷出区域中,设定为与基板的通过区域的外缘部相向的区域的气体喷出孔的排列密度DO1比从与所述外缘部相向的区域靠内偏离出的区域的气体喷出孔的排列密度DO2大,在位于最内侧位置的气体喷出区域中,设定为与基板的通过区域的内缘部相向的区域的气体喷出孔的排列密度DI1比从与所述内缘部相向的区域靠外偏离出的区域的气体喷出孔的排列密度DI2大。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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